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堿性蝕刻：精密成型的核心技術(shù)

2025

11/20

本篇文章來自

捷多邦

堿性蝕刻工序在IPC-6012標(biāo)準(zhǔn)中被定義為形成最終電路圖形的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)通過氨基蝕刻液的選擇性腐蝕，精確去除非線路區(qū)域的銅箔，形成設(shè)計(jì)要求的電路圖形。

根據(jù)IPC-6012標(biāo)準(zhǔn)要求，蝕刻后的線路應(yīng)保持邊緣整齊，無蝕刻不足或過度蝕刻現(xiàn)象。蝕刻因子的控制尤為關(guān)鍵，通常要求達(dá)到3.0以上。在實(shí)際生產(chǎn)中，蝕刻液的銅離子濃度需控制在120-160g/L，pH值維持在8.0-8.5，溫度控制在50-55℃。

在捷多邦的工藝控制中，我們通過實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)蝕刻速率，確保其穩(wěn)定在45-55μm/min范圍內(nèi)。每批次產(chǎn)品都會(huì)進(jìn)行線寬測(cè)量，確保其符合設(shè)計(jì)要求的±10%公差范圍。這種嚴(yán)格的過程控制使得我們能夠穩(wěn)定生產(chǎn)線寬/線距達(dá)3/3mil的精密電路板。