1995 年，當(dāng)松下電器宣布成功開發(fā)Alivh（任意層間通孔）結(jié)構(gòu)時，全球線路板行業(yè)正面臨一個關(guān)鍵瓶頸——傳統(tǒng)機(jī)械鉆孔技術(shù)的極限已至，最小導(dǎo)孔尺寸只能停留在0.3mm，線寬/線距也難以突破0.15mm，這直接制約了便攜式電子設(shè)備的小型化進(jìn)程。而Alivh 技術(shù)的橫空出世，以激光鉆孔替代機(jī)械鉆孔，首次將導(dǎo)孔尺寸縮小至0.1mm以下，搭配樹脂填充工藝解決層間連接難題，不僅讓松下當(dāng)時的翻蓋手機(jī)厚度從25mm壓縮至 18mm，更正式拉開了高密度互連（HDI）時代的序幕，這一突破也成為高階HDI技術(shù)的"起點(diǎn)密碼”。
20年間，高階HDI的精度進(jìn)化堪稱一場"微觀世界的革命”。早期HDI以一階結(jié)構(gòu)為主，僅能實(shí)現(xiàn)簡單的兩層互聯(lián)，線寬/線距維持在0.1mm/0.1mm；2005 年二階HDI技術(shù)普及，通過"激光鉆孔 + 電鍍銅"工藝，將線寬/線距縮小至50μm/50μm，成功適配初代智能手機(jī)的主板需求；2015 年，隨著 4G 通信和高端芯片封裝需求升級，四階HDI技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，線寬/線距進(jìn)一步壓縮至20μm/20μm。
到2025年，高階HDI已邁入“Anylayer 任意層互聯(lián)"時代，線寬/線距突破5μm/5μm，較1995年初代產(chǎn)品縮小30倍，導(dǎo)孔尺寸更是低至25μm，這一精度直接匹配了臺積電2nm芯片的封裝需求。要知道，臺積電2nm芯片的每平方毫米引腳密度高達(dá) 1.2 萬個，是7nm芯片的2.3倍，若沒有50μm以下的微孔和5μm級的線路，根本無法實(shí)現(xiàn)芯片與主板的高效連接。而這一突破的核心，在于激光鉆孔技術(shù)的迭代——從早期355nm紫外激光升級為266nm深紫外激光，波長縮短帶來的能量集中效應(yīng)，讓鉆孔精度從50μm提升至25μm，同時配合"預(yù)鉆孔 + 樹脂填充 + 二次鉆孔"的復(fù)合工藝，解決了微孔邊緣毛刺問題，使信號傳輸損耗降低 40%。
此外，高階HDI的層疊技術(shù)也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。1995年Alivh技術(shù)最多支持4層堆疊，而2025 年主流高階產(chǎn)品已能實(shí)現(xiàn)28層堆疊，部分頭部企業(yè)如勝宏科技甚至開始研發(fā)30層技術(shù)。這背后是 mSAP（改良半加成法）工藝的成熟：傳統(tǒng) SAP 工藝制作的線路邊緣粗糙度達(dá)5μm，容易導(dǎo)致信號干擾，而 mSAP 通過"電鍍銅 + 蝕刻優(yōu)化”，將邊緣粗糙度控制在2μm以內(nèi)，使24 層以上基板能穩(wěn)定承載AI 芯片3GHz 以上的高頻運(yùn)行需求。
從推動手機(jī)輕薄化到支撐算力革命，高階HDI的20年技術(shù)演進(jìn)，本質(zhì)上是"精度突破"與"需求響應(yīng)"的雙向奔赴。如今，隨著 1nm芯片研發(fā)提上日程，行業(yè)已開始探索3μm/3μm線寬線距的技術(shù)路徑，這位"20歲"的技術(shù)老兵，仍在不斷刷新微觀世界的連接極限。
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